推薦使用超低碳鉻鎳奧氏體不銹鋼。由于超低碳[C & lt= 0.02 ~ 0.03%] Cr Ni奧氏體不銹鋼的強(qiáng)度低于Ti和Nb穩(wěn)定不銹鋼。當(dāng)強(qiáng)度不足時(shí)，可選擇氮控[n0.05 ~ 0.08%]和氮合金化[n & gt] = 0.10%]超低碳Cr - Ni奧氏體不銹鋼不僅強(qiáng)度高，而且比含Ti、Nb的奧氏體不銹鋼具有更好的抗晶間腐蝕和點(diǎn)蝕性能。

非敏化晶間腐蝕通常發(fā)生在遠(yuǎn)離焊縫的母材上。其識(shí)別與敏化晶間腐蝕基本一致。在金相顯微鏡和掃描電鏡下觀察了Cr - Ni奧氏體不銹鋼在尿素生產(chǎn)裝置中的非敏化晶間腐蝕形貌。結(jié)果表明，這與上述的敏化晶間腐蝕有很大的不同。主要表現(xiàn)為寬大的晶間腐蝕裂紋，但往往延伸較淺，常伴有晶粒脫落，但在晶界處沒(méi)有析出物。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱(chēng)為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。

根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對(duì)于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對(duì)于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導(dǎo)致晶界處銅含量較低。