鉻鎳奧氏體不銹鋼在使用前或從冶煉廠出廠時(shí)大多經(jīng)過(guò)固溶處理。不銹鋼加熱至高溫(約1000 ~ 1150°C，視鋼材類(lèi)型而定)，保溫后迅速冷卻(一般為水冷卻)。此時(shí)，Cr - Ni奧氏體不銹鋼中的碳含量大于0.02 ~ 0.03%(隨鋼中Ni含量的不同而變化)時(shí)，鋼中的碳處于過(guò)飽和狀態(tài)。隨后,在不銹鋼的加工和制造和使用的設(shè)備和組件,如果需要加熱的敏化溫度450 ~ 850°C(如焊接或使用在這個(gè)溫度范圍內(nèi)),鋼中的過(guò)飽和碳將擴(kuò)散到晶界,與附近的鉻沉淀并形成碳化鉻。

晶間腐蝕是一種局部腐蝕。沿金屬晶界向內(nèi)延伸的腐蝕。這主要是由于晶粒表面和內(nèi)部的化學(xué)成分不同，以及晶界雜質(zhì)或內(nèi)應(yīng)力的存在。晶間腐蝕破壞了晶粒間的結(jié)合，大大降低了金屬的機(jī)械強(qiáng)度。

晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質(zhì)，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學(xué)成分不同，在合適的介質(zhì)中形成腐蝕電池。晶界為陽(yáng)極，晶界為陰極，晶界產(chǎn)生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質(zhì)。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱(chēng)為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛?，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。