晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€取向。因此,晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。
根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金,ni7mo5在晶界處析出,鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金,CuAl2在晶界處析出,導(dǎo)致晶界處銅含量較低。
在金相顯微鏡和掃描電子顯微鏡下可以清楚地看到,鋼的晶界由于腐蝕而變寬,大多呈網(wǎng)狀,嚴(yán)重的情況下會出現(xiàn)晶粒脫落。
鉻、鎳、鉬、硅:Cr、Mo含量的增加會降低C的活性,降低晶體腐蝕的傾向;Ni、Si等不形成碳化物的元素會提高C的活性,降低C在奧氏體中的溶解度,促進(jìn)碳化物的析出。