在不銹鋼可能產(chǎn)生晶間腐蝕的區(qū)域，是否發(fā)生晶間腐蝕以及腐蝕的程度是由鋼熱處理系統(tǒng)對晶間腐蝕的敏感性決定的，即取決于加熱的程度、時間和冷卻速度。在750℃以上，析出不連續(xù)顆粒，Cr容易擴(kuò)散，不發(fā)生晶間腐蝕。在600 ~ 700℃時，網(wǎng)狀Cr23C6析出，晶間腐蝕最為嚴(yán)重。在600℃以下，Cr和C擴(kuò)散緩慢，形成碳化物的時間較長，腐蝕減弱。450℃以下:難以晶間腐蝕。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。

鉻、鎳、鉬、硅:Cr、Mo含量的增加會降低C的活性，降低晶體腐蝕的傾向;Ni、Si等不形成碳化物的元素會提高C的活性，降低C在奧氏體中的溶解度，促進(jìn)碳化物的析出。

晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質(zhì)，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學(xué)成分不同，在合適的介質(zhì)中形成腐蝕電池。晶界為陽極，晶界為陰極，晶界產(chǎn)生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質(zhì)。