在某些合金介質體系中，常發(fā)生嚴重的晶間腐蝕。例如，奧氏體不銹鋼在弱氧化介質(如曝氣海水)或強氧化介質(如濃硝酸)等特定腐蝕介質中可能產生嚴重的晶間腐蝕。

縫隙腐蝕:許多金屬部件是通過螺絲、鉚接、焊接等方式連接的，這些連接件或焊接接頭的缺陷處可能會有狹窄的縫隙?？p隙的寬度(一般為0.025 ~ 0.1mm)足以讓電解液進入，使縫隙內的金屬與縫隙外的金屬形成短路原電池，縫隙內發(fā)生較強的局部腐蝕。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。

在含Cr6 +的硝酸介質中，選擇cr14ni14和1cr18ni11ti高純Cr Ni不銹鋼，研究了C、P、Si和B對非敏化晶間腐蝕的影響;0.1%， P & gt= 0.01%，有顯著危害;當Si含量接近Cr - Ni不銹鋼的正常含量(~ 0.8%)時，非敏化晶間腐蝕敏感性最大，且Si含量高于或低于該含量時晶間腐蝕敏感性降低;B量& gt= 0.0008%，對非敏化晶間腐蝕有害。對低Si、低P高純Cr - Ni奧氏體鋼的進一步研究表明，這些不銹鋼在非敏化狀態(tài)下不存在晶間腐蝕傾向。透射電鏡和俄耳杰光譜儀的晶界分析結果證實，晶界上P、Si和B等元素的偏析和優(yōu)先溶解是造成非敏化晶界腐蝕的主要原因。