晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛?，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。

然而，含穩(wěn)定元素Ti和Nb的不銹鋼，特別是Ti，存在許多缺點(diǎn)。今天，隨著不銹鋼冶煉工藝的快速發(fā)展。一些缺點(diǎn)嚴(yán)重阻礙了不銹鋼冶煉生產(chǎn)的科技進(jìn)步，給使用帶來了不必要的損失和危害。例如Ti的加入增加了鋼的粘度，降低了鋼的流動性，給不銹鋼的連續(xù)澆注過程帶來了困難;Ti的加入使鋼錠和鋼坯的表面質(zhì)量惡化，這不僅大大增加了冶金廠的磨礦量，而且顯著降低了鋼材的成品率，從而增加了不銹鋼的成本;Ti的加入導(dǎo)致錫等非金屬夾雜物的形成，降低了鋼的純度，不僅惡化了鋼的拋光性能，而且錫等夾雜物經(jīng)常成為點(diǎn)蝕源，降低了鋼的耐蝕性;含鈦不銹鋼焊接后，在介質(zhì)的作用下，沿焊縫熔合線容易發(fā)生“刀蝕”，也會造成焊接結(jié)構(gòu)和設(shè)備的腐蝕損傷。

晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質(zhì)，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學(xué)成分不同，在合適的介質(zhì)中形成腐蝕電池。晶界為陽極，晶界為陰極，晶界產(chǎn)生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質(zhì)。

鉻、鎳、鉬、硅:Cr、Mo含量的增加會降低C的活性，降低晶體腐蝕的傾向;Ni、Si等不形成碳化物的元素會提高C的活性，降低C在奧氏體中的溶解度，促進(jìn)碳化物的析出。