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晶間腐蝕檢測機構(gòu)

發(fā)布時間:2021-08-14 訪問量:511次 來源:隱石檢測
晶間腐蝕檢測機構(gòu),江蘇隱石檢測擁有2000平米的現(xiàn)代化綜合性的實驗室,專業(yè)從事金屬腐蝕檢測,擁有自己的數(shù)控加工中心及國內(nèi)外先進的檢測設備100余臺,為更精確的提供檢測數(shù)據(jù)奠定基礎。今天就為大家詳細講解下晶間腐蝕檢測相關內(nèi)容。

晶間腐蝕檢測機構(gòu)

非敏化晶間腐蝕通常發(fā)生在遠離焊縫的母材上。其識別與敏化晶間腐蝕基本一致。在金相顯微鏡和掃描電鏡下觀察了Cr - Ni奧氏體不銹鋼在尿素生產(chǎn)裝置中的非敏化晶間腐蝕形貌。結(jié)果表明,這與上述的敏化晶間腐蝕有很大的不同。主要表現(xiàn)為寬大的晶間腐蝕裂紋,但往往延伸較淺,常伴有晶粒脫落,但在晶界處沒有析出物。


縫隙腐蝕:許多金屬部件是通過螺絲、鉚接、焊接等方式連接的,這些連接件或焊接接頭的缺陷處可能會有狹窄的縫隙??p隙的寬度(一般為0.025 ~ 0.1mm)足以讓電解液進入,使縫隙內(nèi)的金屬與縫隙外的金屬形成短路原電池,縫隙內(nèi)發(fā)生較強的局部腐蝕。


將1Cr18Ni9奧氏體不銹鋼加熱到1050 ~ 1150℃,固溶碳的固溶度為0.10 ~ 0.15%,然后淬火。經(jīng)固溶處理的1Cr18Ni9鋼是一種碳過飽和體,不會產(chǎn)生晶間腐蝕。在700 ~ 800℃的溫度范圍內(nèi),碳的固溶體不超過0.02%,過飽和碳將從奧氏體中完全或部分析出。這時,碳會擴散到晶界和結(jié)合鐵和鉻在晶界形成硬質(zhì)合金Cr23C6鉻含量高、消耗鉻在晶界面積,和鉻粒內(nèi)擴散速度慢得多比在晶界,在晶界區(qū)消耗的鉻沒有時間補充,因此在晶界區(qū)形成鉻貧區(qū)。對于不銹鋼來說,由于晶界鈍化狀態(tài)的破壞,晶界上析出的碳化鉻周圍的貧鉻區(qū)成為陽極區(qū),而碳化鉻和晶粒處于鈍化狀態(tài)成為陰極區(qū)。在腐蝕介質(zhì)中,晶界和晶粒形成活化的鈍化微胞。電池陰極大,陽極面積比小,加速了晶界區(qū)域的腐蝕。


晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€取向。因此,晶界實際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因為晶界的能量高,原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。


晶間腐蝕檢測機構(gòu)

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