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晶間腐蝕檢測(cè)哪里做

發(fā)布時(shí)間:2021-08-13 訪問(wèn)量:587次 來(lái)源:隱石檢測(cè)
晶間腐蝕檢測(cè)哪里做,采用可使金屬的腐蝕電位處在恒電位陽(yáng)極極化曲線特定區(qū)間的各種試驗(yàn)溶液,利用金屬的晶粒和晶界在該電位區(qū)間腐蝕電流的顯著差異加速顯示晶間腐蝕。通過(guò)對(duì)材料的晶間腐蝕檢測(cè),能快速了解材料的化學(xué)成分、熱處理和加工工藝是否合理 。

晶間腐蝕檢測(cè)哪里做

σ相晶間沉淀理論:對(duì)于低碳高鉻高鉬不銹鋼,不存在鉻不良條件,但在650 ~ 850℃熱處理時(shí),會(huì)形成42 ~ 48%的鉻σ相FeCr金屬間化合物。在過(guò)鈍化電位下,相腐蝕嚴(yán)重。陽(yáng)極溶解電流急劇上升。σ可能是相本身的選擇性溶解。σ相FeCr金屬間化合物只能溶解在強(qiáng)氧化介質(zhì)中。因此,必須用65%的強(qiáng)氧化沸騰硝酸檢測(cè)這類腐蝕,使不銹鋼的腐蝕電位達(dá)到過(guò)鈍化區(qū)。


晶間腐蝕的特點(diǎn)是當(dāng)金屬表面沒(méi)有損傷時(shí),晶粒間的結(jié)合力和金屬的脆響已經(jīng)喪失。在嚴(yán)重的情況下,只要輕輕敲擊,它就會(huì)碎成粉末。


晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此,晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛?,原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。


根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對(duì)于Ni Mo合金,ni7mo5在晶界處析出,鉬在晶界處含量較低;(3)對(duì)于銅鋁合金,CuAl2在晶界處析出,導(dǎo)致晶界處銅含量較低。


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